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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
3 天之前 工艺流程和硅基器件大体上差不多，不过材料不一样，就需要特定的工艺和设备。碳化硅器件也有器件设计、晶圆制造、封测这些环节。晶圆制造里主要有涂胶、显影、光刻、清洗 2019年9月5日 碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
半导体工程师 2024-02-18 09:57 北京. 碳化硅（SiC）具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点，主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。. 以新能源汽车为例，当下采用Si IGBT技术的功率模块仍在新 12 小时之前 未来的优化方向是通过结合碳化硅的氧化理论与催化化学，采用复合增效技术提升抛光效率，例如超声辅助电化学机械抛光、磁流变－催化复合辅助抛光，以及固结磨粒－超声－ 突破硬度瓶颈：碳化硅衬底加工的核心技术与未来趋势
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一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其 一个能打的都没有？SiC芯片制造关键设备再突破，实现 ...
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克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用 - SEMI大 ...
1 天前 图 3 - 碳化硅制造工艺（来源： 安森美 ） 支持研究 安森美 意识到学术界在半导体技术发展中的重要性。就 SiC 而言，目前正在以下领域开展研究： 对宇宙射线的抗扰性 栅极氧化物 2022年8月11日 摘要:碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - Researching
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碳化硅多线切割设备厂商
2023年12月21日 切割是碳化硅晶棒第一道加工工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平。随着市场对碳化硅衬底的质量和良率要求越来越严格，切割工艺也从传统的内圆锯切割和金刚石带锯、电火花切割等手段转变到线锯切割（包括游离磨砂线锯切割和金刚石线锯切割），目前各大厂商也有在验证或关注下一代的 ...2019年6月13日 二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设 系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_
2022年12月15日 在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备，该设备用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后的清洗，6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅（SiC）衬底制造，8英寸和12英寸配置2020年12月2日 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。碳化硅外延技术进展情况： 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平。技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。从技术路线上来说，国内外切磨抛环节的差距不大，但在设备的精度和稳定性上，国产设备仍需持续发力，以进一步提高市场竞争力。2023年11月30日 基于上述情况，如今碳化硅晶体制备难点更在于工艺而非设备本身，碳化硅长晶炉与传统硅晶有相同性，结构不算复杂，单价不到100万/ 台，已经基本实现国产化，而工艺上每家衬底厂商都有细微差别，也是核心技术所在，因此许多衬底厂商都 ...2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 艾邦 ...
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2023年3月13日 在设备环节，碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大部分工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于碳化硅熔点较高、硬度较大、热导率较高、 键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
2023年9月27日 SiC器件制造的工艺环节与硅基器件基本类似，包括涂胶、显影、光刻、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、清洗等前道工艺。但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用3 天之前 目前主流的切割工艺大体分为多线切割和激光切割，多线切割又可细分为砂浆线切割和金刚石线切割。 来源：《碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势》，《碳化硅晶圆切割方法综述》，东吴证券研究所 多线切割顺应降本增效趋势，半导体碳化硅 (SiC) 衬底4种切割技术详解
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我想了解一下碳化硅的生产工艺？ - 知乎
2021年12月24日 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产工艺是什么？优缺 第二个应用是中低压输配电，为了提高效率，需要利用SiC器件实现中低压输电，一般采用MMC结构。2023年5月21日 磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国
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化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程
2023年2月15日 摘要碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等2023年11月12日 基于上述情况，如今碳化硅晶体制备难点更在于工艺而非设备本身，碳化硅长晶炉与传统硅晶有相同性，结构不算复杂，单价不到100万/ 台，已经基本实现国产化，而工艺上每家衬底厂商都有细微差别，也是核心技术所在，因此许多衬底厂商都 ...2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎
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衍梓装备：业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备_
2023年12月8日 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行起着至关重要的作用，主要的问题有雪崩失效、短路失效和浪涌失效等。器件的短路失效和浪涌失效除了热失效原因外，高温下场氧区断裂或铝熔化破坏栅氧导致栅源短路也是两个原因，这对于沉积、热氧化工艺也提出了更高的要求。2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使 用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
2021年7月21日 单晶生长工艺 正追赶世界先进水平 今年1月，湖南省首个第三代半导体产业园及国内首条碳化硅研发生产全产业链产线封顶。据介绍，该项目主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后 ...3 天之前 一、碳化硅晶片生产工艺 流程 碳化硅晶片生产流程 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件 ...一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
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碳化硅制造中的环节和设备 - 电子工程专辑 EE Times China
2023年9月22日 半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。2024年3月29日 一、半导体设备 碳化硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技术突破。精密零部件不仅是半导体设备制造环节中难度较大、技术含量较高的 ...半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告 - 电子工程 ...
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半导体高纯碳化硅 (SiC)粉料的合成方法及工艺探究的
2024年1月10日 高纯SiC粉料合成工艺 目前实验室中普遍采用改进的自蔓延法合成SiC，且合成过程中发现，不同的合成工艺参数对合成产物有一定影响 ... 中电科二所的研究人员发现，随着碳化硅合成反应温度的升高，合成的粉料颜色会逐 2024年6月22日 近日，“行家说三代半”在进行产业调研时发现，国内又有1家企业成功获得了8英寸碳化硅设备订单。据悉，华卓精科发布了国内首台8英寸碳化硅激光退火设备，已经顺利通过中国台湾某客户验证，已开展交付，这也代表国产8英寸碳化硅关键设备工艺成功实现自主化，深入迈进高端设备制造领域 ...华卓精科交付国内首台8吋SiC激光退火设备-第三代半导体风向
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碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾
3 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究 2023年12月31日 SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业 第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述_碳化硅半导体-CSDN博客
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造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_中国纳米行业门户
2023年5月13日 磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH ...碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科技股份 ...
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晶盛机电研究报告：晶体生长设备龙头，碳化硅培育增长新曲线
2022年4月1日 捷 佳伟创是一家国内领先的从事晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售企业，主要产品包 括 PECVD 及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设 备以及自动化（配套）设备、全自动丝网印刷设备等晶体硅太阳能电池生产工艺2024年4月25日 碳化硅广泛应用于陶瓷工业、电子工业、化工工业等领域。下面是碳化硅的常见生产工艺 ... 3.烧结：将混合好的粉末放入热处理设备，进行烧结。烧结工艺 中，主要有以下几个步骤：-预烧处理：将混合物加热到一定温度，通过预烧处理除去其中 ...碳化硅的生产工艺流程是怎样的？ - 知乎
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碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎
2024年2月29日 该方法对生长设备要求低，过程简单，可控性强，技术发展相对成熟，国内开始逐步实现8 ... 加工至原子级光滑平面，衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量。碳化硅 ...碳化硅镀膜工艺中，反应物通常包括硅源、气体前驱体和催化剂。 二、设备 在碳化硅镀膜工艺中，设备主要包括以下几部分： 1. 反应室温度：反应室温度对于气相反应的速率和膜的沉积质量具有重要影响。碳化硅镀膜工艺 - 百度文库
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