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SiC MOSFET单管的并联均流特性及解决办
2024年7月23日 文章介绍了碳化硅器件的特性，强调了均流问题对系统性能的影响，并给出了针对双管并联电路的示例。 SiC MOSFET单管的并联均流特性及解决办法 碳化硅MOS~MODULE 已于 2024-07-23 11:12:53 修改2021年11月24日 内容提示： 分类号：TN386 单位代码：10058 硕士学位论文 论文题目： 碳化硅 MOSFET 并联主动均流的研究 学科专业： 电气工程 作者姓名： 张永刚 指导教师： 宁平 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 道客巴巴
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SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术
SiC MOSFET并联模块均流技术研究. 目前,电力电子设备由于智能化电力系统以及能源互联网的发展而引起了人们大量的关注。. 电力电子设备的发展受到功率开关器件的影响,因此功率开关器 2018年11月13日 本文对 SiC MOSFET 这一种新型器件的并联均流情况进行了研究， 其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试， 并利用此平台随机选取了两块 SiC MOSFET分别在 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
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SiC MOSFET并联均流技术的研究 - 百度文库
3.2 均流电路的设计. 通过以上分析可知，在SiC MOSFET并联主功率回路中加入耦合电感可有效的抑制不均流现象，具体电路如图1所示。 图1 耦合电感抑制不均流原理图. 在上图中，耦合电 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究. 来自 知网. 喜欢 0. 阅读量：. 303. 作者：. 张永刚. 摘要：. 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求.而 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 百度学术
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度学术
2014年10月31日 碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此 2019年1月16日 专著. 专利. 一种碳化硅MOSFET的并联均流结构. 中国科学院电工研究所（以下简称电工所）于1958年在北京开始筹建，迄今已有50余年的历史，是我国目前从事电气科学 一种碳化硅MOSFET的并联均流结构--中国科学院电工研究所
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碳化硅均流装置
分享 SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数碳化硅在大功率的应用中，芯片的均流问题随之凸显。并联必然会由于器件，回路和驱动的差异而产生不同程度的不均流问题。 器件不均流会使得器件的损耗不同，发热不同。在稳 多管并联SiC MOSFET驱动电路设计.pdf字字干货，SiC MOSFET碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE 关键词：碳化硅；功率器件；二极管；结型场效应晶体管； 金氧半场效晶体管；绝缘栅双极型晶体管；门极可断晶闸管 器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。 0 引言 功率器件 本文将探讨碳化硅 (SiC) 作为功率半导体开关及其生态系 统（尤其是栅极驱 碳化硅 均流装置
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库
利用上面所述搭建的平台，对SiC MOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。 同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。2023年10月8日 1.一种均流的碳化硅功率模块，其特征在于，包括：基板、若干第一功率芯片(1) ... 碳化硅功率模块检测装置 功率模块模板（全碳化硅复铜陶瓷） 车用多芯片并联碳化硅功率模块 碳化硅光耦驱动功率模块 PFC电路模块及碳化硅功率芯片 ...一种均流的碳化硅功率模块-CN117423672A - 专利顾如 ...
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 豆丁网
2014年8月12日 同轴电阻的寄生电感较小，可以测试较高频率的电流。3均流测试与分析利用上面所述搭建的平台，对SiCMOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。2018年11月13日 内容提示： 碳化硅 MOSFET 并联均流的研究 Investigation of current sharing of paralleling SiC MOSFET 王珩宇1， 吴新科1， 郭清1， 盛况1 （1浙江大学电气工程学院， 杭州 310027） 摘要： 碳化硅（SiC） 材料是一种新型宽禁带半导体材料。 本文对 SiC ...碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
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碳化硅弯头,碳化硅三通,碳化硅耐磨管件定制,耐磨碳化硅管件 ...
2024年8月27日 燃烧器碳化硅均流装置 燃烧器碳化硅煤点火器 燃烧器碳化硅风帽 碳化硅耐磨管件 碳化硅给煤管 碳化硅弯头 碳化硅风挡门 碳化硅方圆节 碳化硅三通 碳化硅内衬落煤管-空气门 碳化硅弧形耐磨板 控制仪表类2018年11月13日 内容提示： 碳化硅 MOSFET 并联均流的研究 Investigation of current sharing of paralleling SiC MOSFET 王珩宇1， 吴新科1， 郭清1， 盛况1 （1浙江大学电气工程学院， 杭州 310027） 摘要： 碳化硅（SiC） 材料是一种新型宽禁带半导体材料。 本文对 SiC ...碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
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均流装置的用途-科易网
设计6种不同结构形式的颗粒帘换热器气体变径均流装置,测得各变径均流装置出口气流的纵向与横向分布及其流动阻力,并分析了入口气流流动特性对变径均流装置出口气流均匀分布程度的影响。 实验结果表明:气体变径均流装置的流动阻力随出口气流均匀分布程度的增大而增大;变径均流装置 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 百度学术 摘要： 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅 (SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体 2014年10月31日 碳化硅(SiC)材料 ...碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置
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一种分离碳化硅微粉中的针、片状颗粒的溢流装置的制作方法_3
2017年6月30日 本实用新型涉及碳化硅微粉生产设备技术领域，具体涉及一种分离碳化硅微粉中的针、片状颗粒的溢流装置。背景技术碳化硅（SiC）又名金刚砂是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石 ...2022年11月25日 郑州冠德生产灰斗用QHB300×150气化板气化槽，材质有碳化硅、不锈钢、透气布等料仓气化装置，提供气化板安装和气化风系统设备选型报价，碳化硅气化板由橡胶密封圈和金属壳体箱槽组成，气化板接通加热气化风使 灰斗气化板_QHB300×150气化板气化槽_料仓气化装
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喷嘴体组件-碳化硅浓缩器/耐磨板/管件/齿环/挡块/
2024年8月27日 碳化硅硬度仅次于金刚石和碳化硼，碳化硅耐磨件耐磨系性＜4.5cm³（GB18301-2012），使用寿命是传统铸钢件的3倍-5倍。 铸钢件高温情况下易变形，耐磨性下降，易磨损，易腐蚀，使用寿命短。2019年10月28日 多位工程师，具备锅炉厂相关技术背景，承接了巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置 安装工程。 上春仪 - 专注碳化硅耐磨件定制 订购热线：153-0447-8133 订购热线：151-6260-9421 上春仪首页 燃烧器碳化硅喷嘴 燃烧器碳化硅浓缩器 ...巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置-上春仪
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碳化硅 - Wikiwand
碳化硅存在着约250种结晶形态。[24] 由于碳化硅拥有一系列相似晶体结构的同质多型体使得碳化硅具有同质多晶的特点。这些多形体的晶体结构可被视为将特定几种二维结构以不同顺序层状堆积后得到的，因此这些多形体具有相同的化学组成和相同的二维结构，但它们的三维结构不同。本实用新型涉及碳化硅微粉生产设备技术领域，具体涉及一种分离碳化硅微粉中的针、片状颗粒的溢流装置。背景技术碳化硅（SiC）又名金刚砂是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑 一种分离碳化硅微粉中的针、片状颗粒的溢流装置的制作方法
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碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置的制作方法
2022年11月30日 1.本发明涉及一种中子束流监测装置，具体涉及一种碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置。背景技术： 2.加速器中子源是指加速带电粒子(如氘、质子或其他离子)轰击一定的靶材时，可引发发射中子核反应的设备。 与放射性同位素中子源相比，加速器中子源具有中子产额高、能量可调 ...2014年4月16日 本实用新型是一种超精细碳化硅微粉水力溢流分级装置，包括溢流桶，溢流桶下部呈倒圆锥体，在溢流桶下部倒圆锥体的小口端设有进水口，溢流桶的上部侧壁上连接有粉料输出管，在溢流桶的进水口处设有与进水管相接的分水机构，所述的分水机构包括设在溢流桶内的锥形散水器，在溢流桶外设有 ...一种超精细碳化硅微粉水力溢流分级装置制造方法
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氧化锌和碳化硅组合式灭磁电阻 - 百度文库
假 使某支路阻值 Rt偏小，该支路电流势必较大，根据 碳化硅伏安特性，与其串联的碳化硅电阻端电压势必 要增大，由于各支路属于并联关系反过来钳制碳化硅 电阻端电压上升，因此限制了该支路电流急剧上升， 也就实现了自动均流。 碳化硅非线性电阻与氧化2024年4月15日 柔性交流输电系统是当前交流电网比较先进的技术之一。碳化硅电力电子器件能够科学、高效的实现系统电压、功率和输电品质的控制，并能够有效降低输电的损耗。柔性直流输电是基于电压源换流器的高压直流输电（VSC-HVDC），由换流站和直流输电线路话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究
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SiC MOSFET并联均流技术的研究 - 百度文库
吴新科，郭清等.碳化硅MOSFET并联均流的研究[C].中国电工技术学会电力电子学会学术年会，2014. 4 结束语 总之，由于SiC材料的特性，相比于传统的硅衬底MOSFET及IGBT，SiC MOSFET在高频、高温的应用场景日益凸显。而模块在并联的过程 ...2022年7月22日 由此，对碳化硅功率模块的电感优化方式，主要归结为降低自感与利用互感两条技术路线。1.2 降低自感封装技术 碳化硅半导体芯片的开关过程主要受到模块内部换流回路电感的影响，因此对碳化硅模块电感的优化主要集中 碳化硅功率模块封装技术综述 - 知乎
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苏州上春仪监测程控设备制造有限公司_燃烧器配件_碳化硅 ...
2023年11月8日 燃烧器碳化硅均流装置 碳化硅耐磨管件 碳化硅耐磨弯头 煤粉分配器 碳化硅耐磨管 碳化硅方圆节 可调缩孔 CFB碳化硅复合给煤管 碳化硅调节挡板门 碳化硅耐磨三通 酸露点测量仪 全炉膛火焰电视监视系统 ...主权项：1.一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，其特征在于，包括：进气机构1，所述进气机构1的出气端开设有第一通气孔101；初分散机构，所述初分散机构固定安装在所述进气机构1的出气端；所述初分散机构内开设有若干与所述第一通气孔101连通的导一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置
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QHB150×300气化装置 碳化硅板厂家【透气性强 厂家现货 ...
150×300气化装置 碳化硅板厂家为气力输送系统中贮仓料斗的辅助装置，接通经过预热的空气后可使粉状物料流态化、增加物料的流动性。它主要用于电除尘器灰斗、各种粉、粒料贮仓料斗、灰库库底。气化板为中间料仓、灰斗、平底料库、锥底料库的辅助件，经过预热的空气后该装置，在一 2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿 ...
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国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日 发现硼和碳作为烧结助剂是共同作用影响碳化硅的致密化，单独加入任何一种均不会对碳化硅的致密化产生影响。 烧结助剂硼的添加量通常没有太大变化，约为 0. 3％ ～ 0. 5％ ， 而碳的添加量应随着原料粉体中的氧含量变化，高氧含量的原料通常需要添加更多的碳。2022年12月28日 关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。本篇文章将延续“仿真看世界”系列一贯之风格，借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。 特别提醒：仿真只是工具，仿真无法替代实验，仿真只供参考，切勿痴迷迷信。仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性 - 知乎
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SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术
但是,作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅 (SiC)由于其在高压大功率应用领域的优良特性而受到了广泛关注。在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。本文首先 ...2017年8月22日 碳化硅mosfet并联均流的研究..doc,碳化硅MOSFET并联均流的研究 Investigation of current sharing of paralleling SiC MOSFET 王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1 （1浙江大学电气工程学院，杭州 310027） 摘要：碳化硅材料是一种新型宽禁带半导体材碳化硅mosfet并联均流的研究..doc 5页 - 原创力文档
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